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光刻机的制造难度主要在于三大关键设备：光源、双工件台、光刻机镜
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而在光源方面，毫无疑问z国的世界最强的那个，这个结论从激光武器z国明显领先m国便能得出。
一个小小的光刻机光源，完全难不倒z国的科研
员。
双工件台就不太容易了，据说sm1研的基于磁悬浮平面电机的双工件台产品，其掩模台的运动控制
度做到了2纳米，大大提升了芯片加工的度和效率。
如此先进的双工件台，外国专家曾傲慢地说：“全世界没有第二家机构能做出来。”
然而仅仅过去五年不到，z国菁华大学的一个科研团队，研制的运动度控制在2纳米左右的双工件台，成功通过了整机验收。
关键技术指标达到了国际同类光刻机双工件台技术水平。
双工件台也被z国攻克了。
最后就是光刻机镜，近些年光学镜领域进步飞，甚至有家民用卫星公司制造的光学卫星，分辨率就达到了1米、o.5米，地面的航母、军舰、车辆一览无余，甚至可以拍摄正在起飞的飞机，拍摄火箭
画面，清晰度令吃惊。
民用光学卫星的表现已如此夸张，军用当然更不得了。
这反映出的，是z国在光学镜领域的进步。
光刻机镜自然也难不倒z国的科研员。
所以光源、双工件台、光刻机镜这三大用于制造光刻机的核心设备，z国全部掌握。
这也正是sm1公司对z国放开光刻机销售的原因……严厉的封锁，光刻机领域，只会导致z国以更快的度取得突
。
兔子被
急了，会要你的命。
而z国的光刻机至今没有赶上国外最先进水平，一方面是市场份额被牢牢把控；其次走相同的技术路线，会不可避免地会侵犯到sm1的知识产权，引专利官司。
再加上一些关键设备的禁售。
国产的光刻机展始终不温不火。
即便如此，为了绕开国外的专利壁垒，z科院光电所另辟蹊径，研制了一款全新的光刻机——
分辨纳米光刻机。
这种光刻机采用了与传统光刻设备完全不同的技术路线，用365纳米近紫外光源，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米，结合多重曝光技术后，可用于制造1o~9纳米级别的芯片。
而这款光刻设备，使用的是波长更长、更普通的紫外光，在普通环境下便能完成光刻，意味着国产光刻机使用低成本光源，实现了更高分辨力的光刻。
制造成本只有sm1公司光刻机的几分之一，乃至十几分之一。
技术原理层面的突，更是相当于别在开山修路的时候，你打通了一条隧道。
不过分辨纳米光刻机虽好，却也存在一个较为严重的缺陷。
那就是曝光时间过长。
尤其实在芯片领域，euv光刻机曝光15秒便能完成的任务，分辨光刻机需要十多天。
更加形象的比喻是，传统光刻机是直接拍出一张照片，分辨光刻则是拿一支笔，慢慢画出一张图片……效率差别巨大。
……
商海微电子公司。
来到这家公司调研的陈今，看到面前的这台22纳米分辨光刻机，听了该公司的老总张昱明的介绍后。
“你说这么好的设备，不能用于芯片的制造，为什么不能？”
陈今皱着眉，这太可惜了吧。
“不是不能，而是太慢！我们想了各种办法提高它的曝光效率，但曝光一张影刻，依然需要五天的时间，效率是传统光刻几万分之一，这完全抵消了我们的成本优势，只适合给一些较小规模的市场，比如军用芯片、光学器件、高密光栅、光子晶体阵列等等，这些领域我们的分辨光刻机卖了好几十台。”
“但大规模的芯片制造，只能老老实实地展传统光刻。”
张昱明摇着道。
目前商微电子的1onm光刻机，走的就是193nm光源浸没式光刻路线，但制造成本太高，没有市场竞争力，又面临着sm1的专利壁垒，故而没有推向市场。
euv光刻方面，商微电子与国内很多机构合作，取得了一定的突，但也面临专利方面的问题。
很多高尖设备，不是说z国打不了垄断，而是专利壁垒挡在了那里。
“你们有没有办法加快它的曝光效率，赶上传统光刻机呢？”
陈今问道，他觉得分辨光刻这条路线，真的可以继续走下去，应用于大规模芯片制造。
“办法有！但实现太难了，以现有的技术，几乎不可能实现。”
“你先说说你的办法。”
“增加‘笔’的
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