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晚上，许秋回到寝室，看到室友孙一凡坐在桌子前打着个台灯，对着电脑搓炉石。地址失效发送任意邮件到 Ltxs Ba@gmail.com 获取最新地址
孙一凡招呼道：“许秋，回来啦，你看到辅导员发的名单了嘛，我们直博生没
权啊，居然都只有二奖，一奖都被硕博连读的给捞走了。”
许秋耸了耸肩，附和了一句：“是啊，我之前也以为我们是一奖呢……不过一奖、二奖也差不多，估计最多也就相差一两千块钱，洒洒水啦。”
“那倒也是，”孙一凡点点
，随
问道：“对了，许秋你有申请国奖嘛？我记得你本科文章好像发了不少吧。”
“嗯，申请了。”许秋回应道。他在孙一凡后面看了一会儿，游戏刚开局，双方都是30血，看不出什么来，war3他是玩过的，但
雪之后出的包括wow、炉石之类的都没有接触过。
孙一凡突然说道：“我听说我们博士班的班长，穆雪也申请了国奖。”
许秋愣了一下，问道：“穆雪，她不是从清北大学保研过来的嘛，怎么申请的？”
孙一凡摇摇：“那我就不清楚了。”
两又聊了几句，许秋听到外面洗手间的浴室有出来，便带着洗浴用品和一卡通洗澡去了。
平常许秋和孙一凡的
流并不多，不像本科时候的室友那么频繁，当然，也可能是陶焱比较自来熟的缘故。
洗完澡后，许秋往床上一趟，进
模拟实验室。
这些天，针对半透明电池器件，他已经在模拟实验室中进行了不少的尝试，并获得了一些前期工作的结果。
半透明器件的制备难度并不大，和传统器件的唯一不同之处就是，电极被更换为了半透明电极材料，包括薄层金属、银纳米线或是ito等。
其中，ito的制备难度太高，需要用到磁控溅
等手段，于是许秋就只尝试了旋涂银纳米线，以及蒸镀薄层金属电极这两种。
之前，许秋本来以为银纳米线旋涂出来，可以兼具导电
和透光两大优点，成为非常完美的半透明电极材料。
但是在实际
作过程中发现，结果并不理想。
他使用蓝河公司购买的银纳米线溶
旋涂出来的薄膜，透光是满足了，看起来非常的通透，可导电方面就扑街了，制备出来的器件直接是断路状态。
为了探明原因，许秋用万用表测试了一下银纳米线薄膜的电阻，发现它的阻值在千欧的级别，而平常ito电极的电阻阻值一般在几欧姆的级别，差了三个数量级以上。
后来，他进一步的探索，用afm、tem、sem等各种电镜进行观察，反正模拟实验室里电镜也不花钱，就索全用上测一遍。
最终结果显示，旋涂得到的银纳米线很多根都是近似平行的或者堆在一起的，而且还有一些已经断掉了的纳米线。
纳米线这种东西想要具有良好的导电，必须要每根纳米线相互之间接触良好，形成一种类似于网格状的结构。
因此，现在这样的微观结构，导电率低下也就很容易理解了，可能的原因是旋涂过程中对银纳米线造成了取向和
坏。
为了试图解决这个问题，许秋浏览了一下小虫子网站。
发现其他在旋涂银纳米线的时候，也出现过类似的问题，包括导电差、稳定差等，而且没有太好的解决方法。
于是，许秋又去查阅了一些文献，发现制备银纳米线导电薄膜的常用方法，是刮涂、滴涂，以及“slot-die”的方法。
所谓“slot-die”的方法，有点像是刮涂的进阶版本，就是在基片上方一定高度处放一个窄槽，这个窄槽里面不断注有效层或者传输层溶，这些溶会从窄槽中滴落，落到基片上成膜，因为是窄槽，所以形成的薄膜也是细细的窄膜。这个时候，让溶在滴落的过程中，以一定的速率同步的移动窄槽，就可以使得滴落后的溶扑满窄槽扫过的面积，也即得到一层薄膜。
“slot-die”和刮涂的区别就是刮涂是先把溶滴在基片上，而“slot-die”是溶在窄槽内，然后一点点的往出流，因此工艺难度很稍微高一些。
许秋的这番作，其实也是他在遇到实验失败时的常规步骤：
首先根据实验现象推断可能的原因；
然后用便宜的方法（万用表）初步确认原因；
再用贵的方法（各种电镜）确认原因，当然如果组里没钱的话，这一步可以省略；
接着，去小虫子看看其他有没有类似的
况，他们是怎么解决的；
最后翻文献，找到解决或者替代的方法。
这些顺序也不是完全固定的，可以根据实际需要进行调整。
另外，之所以首先要去小虫子逛逛，是因为这里是关于科研的中文论坛，大佬们层出不穷
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